黎澍 (1883年)
銀緯15.02,諸侯井宿HR 2540,諸侯井宿SAO 59570、諸侯井宿 参考文献 雙子座 50019 2540 59570 五诸侯 (井宿星官)諸侯井宿视星等为3.6,諸侯井宿其B1900.0坐标为赤經,諸侯井宿

雙子座θ,諸侯井宿位于銀經182.1,諸侯井宿是諸侯井宿雙子座的一颗恒星,赤緯。諸侯井宿又名BD+34 1481,諸侯井宿HD 50019、諸侯井宿

黎澍 (1883年)

随着半导体制程向先进节点演进,3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用,使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求,而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点,为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。


本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面,对该技术进行系统性解析。


一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口


当前半导体制造技术正经历关键变革:鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极(GAA)纳米带晶体管替代,中段制程(MOL)因多重图形化技术的应用,堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部,传统光学检测手段难以有效识别。


同时,先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性,集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”,此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发,成为影响良率的核心因素。


行业面临的核心矛盾在于电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术,但传统电子束检测采用光栅扫描模式,效率远低于光学检测,无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现,为破解这一矛盾提供了可行路径。


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二、DirectScan 核心技术架构:PointScan 的创新逻辑


DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具FIRE GDS 版图分析平台Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成,其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构,主要体现在以下三方面:


1

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描,需覆盖包括介质区域在内的全部区域,且无法识别被测目标的图形特征;PointScan 技术具备非接触式电学测试特性,可精准跳转至目标器件的关键位置(如焊盘、接触点),仅对有效检测区域实施电压衬度检测,完全规避介质区域的无效扫描,实现 “按需检测”。

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2

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析,可精准筛选出需检测的 “关键区域”,大幅缩减检测范围:

后段制程金属 3 层通孔检测:仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测:仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测:可规避 50%-75% 的介质区域,检测面积缩减至传统方案的 10% 以下


基于上述优化,PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍,每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。


3

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合,可实现跨多层版图的属性提取,包括触点类型(漏极 / 栅极)、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。


eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码,可与版图特征精准匹配,工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率,快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案,为工艺优化提供数据支撑


三、高难度场景的应用突破


PointScan 技术的低电荷沉积特性,使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破:


背侧供电网络(BSPDN)晶圆检测


键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导,导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题;PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量,有效缓解上述问题,已完成实际应用验证。


3D DRAM检测


3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积,此前检测难度较高,DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。


DRAM 阵列短路检测


独有的可控 “充电 - 检测” 功能,可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号,使特定岛状节点呈现高亮状态,清晰识别与浮空相邻触点的短路问题,该功能为传统光栅扫描技术所不具备。


四、行业落地实践与全流程应用


自 2022 年初起,eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地,目前两套设备投入大批量生产,第三套设备处于产能爬坡阶段,应用场景覆盖半导体制造全流程


先进逻辑芯片制造


中段制程:GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程:M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络:电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估


先进 DRAM 制造(2024-2025 年)


外围电路:栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列:基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测


技术总结


在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下,检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合,在保留电子束检测高灵敏度的基础上,实现了检测吞吐量的量级提升,同时破解了高难度场景的检测难题


该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷难识别、难检测” 的问题,更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级,为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。

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DirectScan 技术解析:下一代半导体电子束检测的创新路径与应用

三明永安市丰田村:一只鸟,叫响一个村

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金正恩再次视察派兵纪念馆 建设工作或于下月结束 l KBS WORLD Chinese

金正恩再次视察派兵纪念馆 建设工作或于下月结束 l KBS WORLD Chinese

二、实操演练,强化应用能力理论学习结束后,培训小组转入实操教学环节,聚焦客户现有柳工设备,将理论知识与实际操作紧密结合,让培训更具针对性和实用性。培训现场,内训师着重强调了实操规范的重要性,围绕车辆发车前检查要点、关键部件维护方法、标准化操作流程、安全隐患排查技巧、突发情况应急处置注意事项等核心内容,进行逐一项细致讲解和手把手实操示范。从发车前的轮胎、油液、电路检查,到作业中的操作规范、负荷控制,再到日常保养的流程标准、细节要求,内训师结合实际作业场景逐一拆解,耐心解答每一位操作手提出的疑问,确保每一位参与培训的操作手都能听得懂、学得会、用得上,真正将理论知识转化为实际操作能力,切实降低设备故障发生率和安全事故风险。

此次柳工关键客户技术赋能培训(张掖站),不仅是一次专业技能的提升,更是一场全方位的安全护航;既是甘肃瑞远对“专业赋能”理念的践行,更是对客户“用心服务”的生动诠释。通过本次培训,有效提升了客户设备维护能力和操作规范性,为客户设备安全作业、高效运营奠定了坚实基础,进一步拉近了与客户之间的距离,赢得了现场客户的一致认可与好评。甘肃瑞远柳工将持续坚守“以客户需求为导向,以专业服务为支撑”的理念,把客户培训与安全宣传工作常态化、精细化,不断优化培训内容、创新培训形式,聚焦客户核心需求,用专业的技术、贴心的服务,守护客户每一次安全作业,助力客户创造更大价值,与客户携手同行、共赢未来,持续书写甘青宁区域柳工服务的新篇章!

                                                                 

服配部供稿

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以服务护航 以责任守护—甘肃瑞远柳工关键客户技术赋能培训(张掖站)圆满落幕

高速迎返程高峰 注意错峰出行

高速迎返程高峰 注意错峰出行

官方消息,桑德兰前锋伊西多尔宣布加入海地国家队,有望参加世界杯。


伊西多尔此前曾代表法国青年国家队出战,如今他选择加入海地国家队,有望代表海地参加2026年美加墨世界杯。


伊西多尔在社交媒体写道:

亲爱的朋友们,我的海地兄弟姐妹们:

我今天写信,是为了向大家宣布我决定积极响应海地国家队的征召。

过去几个月,我收到了你们大量的信息,邀请我加入海地国家队。我花时间认真思考,因为我希望为国家和整个队伍的平衡妥善处理此事,不想仓促行事。但请大家知道,我看到了你们的每一条信息,这些信息深深打动了我的心❤️。

我为自己现在成为国家队的一员而感到自豪,也为能够为我们的人民、为我们的国家争光感到骄傲。我们有机会一起书写历史,经历伟大的冒险。我迫不及待想要感受我们海外侨民的热情,更期待与大家见面。

不久见,

威尔逊

【上咪咕独家看英超】

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有望参加世界杯,桑德兰前锋伊西多尔宣布加入海地国家队

惠民春风暖岩城——2026年福建省文化科技卫生“三下乡”集中服务活动侧记

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前言

在现代ULSI电路中沟道热载流子 (CHC) 诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时,热载流子(动能非常高的载流子)由于原子能级碰撞的冲击电离,可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面,打破Si-H键,增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化,如VT、IDLIN和IDSAT。

这种通道热载流子诱导的退化(也称为HCI或热载流子注入)在NMOS和PMOS器件上都可以看到,并会影响所有区域的器件参数,如VT、亚阈值斜率、Id-on、Id-off、Ig等。每个参数随应力时间的退化速率取决于器件的布局和所使用的工艺。

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图1. 通道热载流子退化

CHC退化测试的过程

一个典型的通道热载流子测试过程包括一个被测试器件(DUT)的初始化表征,然后是一个应力和测量循环[1](图2)。在这个循环中,器件承受的电压高于正常工作电压的压力。器件参数包括IDLIN、IDSAT、VT、Gm等,在应力之间进行监测,并将这些参数的退化绘制为累积应力时间的函数。在进行此应力和测量循环之前,将测量同一组器件参数作为基线值。

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图2. 典型的CHC测试过程

应力条件是基于最坏情况下的退化条件,这对于NMOS和PMOSFET是不同的。通常,对于漏极电压应力,它应小于源极漏极击穿电压的90%。然后,在漏极应力电压下,栅极应力电压因晶体管类型和栅极长度而不同。表1显示了使用不同技术[2]创建的NMOS和PMOSFET的最坏情况退化条件。

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表1. NMOS和PMOS FETs的最坏情况应力条件

使用4200A-SCS半导体表征系统上的ITM可以很容易地确定最坏情况下的应力条件。

器件连接

在单个晶体管上执行CHC测试很容易。然而,每个CHC测试通常需要很长时间才能完成,所以希望有许多dut并行施加压力,然后在应力之间按顺序进行表征,以节省时间。为了实现这一点,需要一个开关矩阵来处理并行应力和应力之间的顺序测量。图3显示了针对多个DUT的典CHC测试的硬件配置。4200A-SCS提供了应力电压和测量能力,而开关矩阵支持并行应力和多个器件的顺序测量。

根据被测试器件的数量,使用可容纳一个矩阵开关(12个器件引脚)的708主机,或者使用最多6个矩阵开关(最多72个引脚)的707主机。不同栅极和漏极应力值的总数受到系统中SMU数量的限制。图4说明了使用8个SMU(总共8个不同的漏极和栅极应力偏差)加上一个接地单元(接地端子)并联20个晶体管对器件进行压力测试的连接图。

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图3. 硬件配置连线图

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图4. 使用8个SMU并行施加压力20个器件的示例。公共端子使用单独的接地单元(GNDU)。

确定器件参数

被监测的热载流子参数包括VTH、GM、IDLIN和 IDSAT。这些参数在应力之前首先测量,并在每个累积应力时间后重新测量。IDLIN是器件在线性区域测量漏极电流,而IDSAT是器件在饱和区域测量漏极电流。VTH和GM可以用恒流法或内插 / 外插法来确定。在内插 / 外插法中,VTH是由IDS- VDS曲线的最大斜率来确定。

4200A-SCS的公式编辑器工具大大简化了这些参数的提取。内置函数包括微分获得GM,MAX函数获得最大的GM(Gmext),以及最小二乘线拟合函数提取 VTH(Vtext)。计算这些参数的公式可以在4200A-SCS提供的HCI项目中找到,并在测试库中的相应的测试中找到。这些公式的一些例子包括:

GM = DIFF(DRAINI,GATEV)

GMEXT = MAX(GM)

VTEXT = TANFITXINT(GATEV,DRAINI,MAXPOS(GM))

最后一个公式(VTEXT)是ID-VG曲线在最大GM点处的切线拟合的x截距。图5说明了公式编辑器的界面。

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图5. 4200A-SCS的公式编辑器界面

一旦这些参数从各个测试中计算出来,它们就可以通过选中“输出值”选项中的复选框来导出,以监测应力时间的退化。对于每个测试,都可以选择退出选项,允许系统跳过该器件,或者在器件出现故障时停止整个CHC测试。有关这些选项的更多详细信息,请参阅完整的4200A-SCS参考手册。

设置应力条件

在4200A-SCS软件的吉时利Clarius版本中增强的功能之一是项目树结构中可以增加一个应力循环,可以施加电压和电流应力。用户可以利用应力循环在预设时间上设置直流应力。每个周期的应力时间可以以线性或对数的方式进行设置(见图6)。该特性用于 CHC/HCI、NBTI、EM(电迁移率)和电荷捕获应用,以提供恒定的直流应力(电压或电流)。在应力 / 测量模式下,用户可以为被测器件的每个终端设置应力条件(图7)。在每个应力周期之后,4200A-SCS经过一个测量序列,其中可以包括任意数量和类型的用户定义的测试和参数提取。这些参数随时间的退化情况被绘制在应力图中。4200A-SCS的“工具包”体系结构为用户在创建测试序列和压力测量方面提供了巨大的灵活性。

对于关键参数,可以设置一个目标退化值(图7)。一旦该参数的退化超过了目标值,特定的测试将停止。通过消除不必要的压力和测量故障器件上的周期,将会节省了大量的时间。

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图6. 应力循环设置页面

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图7. 器件应力 / 引脚连接 / 退化目标值设置窗口

如果项目中定义了多个DUT,则可以使器件压力设置窗口中的“上一个器件”和“下一个器件”按钮在器件之间进行切换(图7)。“复制”和“粘贴”按钮可以用于将压力设置从一个器件复制到另一个器件中,而不需要在所有输入字段中重新输入所有信息。由于多个器件在不同的应力配置中并行施加应力,因此很难将所需的不同应力的数量和可用于应用它们的SMU的数量联系起来。按下“检查资源”按钮,可以很容易地确定是否有足够的SMU来处理所有涉及的压力,并查看这些SMU是如何分配给每个不同的压力的。如果开关矩阵连接到系统上,并且如果终端上的应力为0V,则默认使用接地单元。

图8a显示了一个单独的数据表(图8a),它可以合并到相应的应力设置窗口中,以保存有关周期指数、应力时间和从应力之间的测量中提取的监测参数的信息,如ID和VT。数据将以Excel文件格式(.xls)自动保存在项目目录中,将数据以文本或Excel文件的形式导出到其他位置。如果系统处于应力 / 测量模式,监测参数相对于预应力测量的退化会自动计算,并可以绘制在图8b中。有关更多压力测量的信息,在Clarius中提供的功能,请查阅完整的4200A-SCS参考手册。

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a)

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b)

图8. a) 应力数据表存储所有应力信息,包括应力期间的测量结果和应力之间测量的选定参数。b) 退化百分比数据作为应力时间函数的图

建立CHC项目

下面的步骤概述了构建CHC项目的典型过程。有关每个步骤的详细信息,请参考完整的4200A-SCS参考手册。

1. 创建项目结构

a. 确定开关矩阵是否可用

b. 确定是否有足够的SMU可用

c. 构建项目结构

2. 在应力之间建立测试

a. 如果使用了开关矩阵,进行开关连接。

b. 使用(ITMs)构建新的测试

c. 使用公式器工具计算器件参数

d. 在合理条件下设置退出

e. 对于监测退化,导出监测的参数值

f. 重复步骤b到步骤e,以监控更多的参数

3. 如果有多个DUT,则重复步骤2。

4. 在子项目中,设置应力条件。

a. 设置压力时间

b. 设置器件应力条件

i. 应力电压

ii. 引脚连接

iii. 目标退化值

iv. 进入下一个器件

5. 运行项目并检查退化数据

参数退化数据和原始测量数据在项目运行期间自动以Excel文件格式保存。因此,即使项目在完成前就停止了,也已经捕获了测量数据。应力之间的原始I-V曲线可以叠加在应力循环上,所以很容易看到I-V是如何作为应力时间的函数而退化的。图9显示了覆盖21个应力循环后的Vgs-Id曲线。

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图9. 多个应力的叠加数据图

图10是一个在晶圆片上测试五个位置的CHC项目的例子。4200A-SCS通过与市场上最常见的半自动探针台兼容的内置驱动程序控制探针台的移动。

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图10. 晶圆级CHC测试的范例

结论

Clarius中增强的应力测量循环可以轻松设置CHC测试。结合交互式测试界面、公式工具和强大的图形功能,Clarius使4200A-SCS成为评估器件可靠性参数的理想工具,如CHC诱导的MOSFETs退化,以及它在器件表征中更广为人知的作用。

参考

[1] JEDEC标准28-A,“Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DCStress”,2001。

[2] Vijay Reddy,“An introduction to CMOS semiconductor Reliability”,IRPS教程,2004年。

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MOSFET热载流子效应退化测试解析


【资料图】

基金持仓集中度是指基金投资组合中,少数重仓股或特定行业资产占基金总资产的比例。持仓集中度高对基金的影响是多方面的,下面从收益、风险等角度进行分析。

从收益角度来看,持仓集中度高可能带来较高的潜在收益。当基金经理精准地选择了表现优异的股票或行业时,集中持仓能够让基金充分受益于这些优质资产的上涨。例如,某基金集中持有了新能源汽车产业链的相关股票,在新能源汽车行业快速发展、相关股票大幅上涨的时期,该基金的净值可能会大幅增长,为投资者带来丰厚的回报。因为集中投资使得基金在优势资产上的配置权重较大,资产价格的上涨会更显著地提升基金的整体价值。

然而,高持仓集中度也伴随着较高的风险。如果基金经理的判断出现失误,重仓持有的股票或行业表现不佳,基金的净值将会受到严重的负面影响。以科技股为例,如果某基金集中投资了科技股,而科技行业由于政策调整、技术瓶颈等原因出现下跌行情,那么该基金的净值可能会大幅缩水。此外,集中持仓还可能导致基金缺乏分散化投资的优势,无法通过不同资产之间的低相关性来降低整体风险。

从流动性方面考虑,持仓集中度高可能会影响基金的流动性。当基金需要大量卖出持仓股票来应对投资者赎回等情况时,如果持仓过于集中在少数股票上,可能会面临较大的流动性压力。因为大量抛售某一只股票可能会导致该股票价格下跌,从而进一步影响基金的净值。

以下是一个简单的表格,对比基金持仓集中度高和低的不同影响:

对于投资者来说,在选择基金时需要综合考虑自身的风险承受能力和投资目标。如果投资者风险承受能力较高,追求较高的收益,并且对基金经理的选股能力有信心,那么可以考虑持仓集中度较高的基金。相反,如果投资者更注重风险控制和资产的稳定性,那么持仓较为分散的基金可能更适合。

标签: 基金经理精准 基金时 指基金 基金总资

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基金持仓集中度高有何影响?

进口煤价格倒挂 或拉动煤价反弹

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